Numéro de produit du fabricant:
IPD10N03LA G
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD10N03LA G-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Description détaillée:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventaire:
12801105
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SOUMETTRE
IPD10N03LA G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1358 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-11
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD10N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SP000017602
IPD10N03LAGXT
IPD10N03LA G-DG
IPD10N03LAG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD8880
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
13967
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD8880-DG
PRIX UNITAIRE
0.27
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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